Acheter du carbure de silicium
Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur composé de silicium et de carbone à l'état pur. Il peut être dopé au béryllium, au bore, au gallium ou à l'aluminium pour obtenir un semi-conducteur de type p, ou à l'azote ou au phosphore pour obtenir un semi-conducteur de type n. Bien que le SiC soit connu depuis plus d'un siècle, ce n'est que depuis une trentaine d'années que le carbure de silicium de qualité semi-conductrice est disponible pour les applications industrielles.
Utilisations du carbure de silicium
Le carbure de silicium est utilisé dans la fabrication de roulements, de freins automobiles et d'autres dispositifs fonctionnant à haute température. Plus récemment, grâce à sa conductivité thermique élevée, sa forte densité de courant maximale et son faible coefficient de dilatation thermique, le SiC est devenu un composant essentiel des applications semi-conductrices.
Ces trois caractéristiques combinées confèrent au carbure de silicium une conductivité électrique exceptionnelle, notamment par rapport au silicium, son proche parent. Les applications de forte puissance nécessitant un courant élevé, des températures élevées et une conductivité thermique élevée sont généralement des candidats idéaux pour l'utilisation du carbure de silicium.
De plus, la capacité du SiC à supporter des fréquences de fonctionnement élevées, associée à sa réputation de faibles pertes de commutation, lui permet d'atteindre les meilleurs rendements du secteur, notamment dans les applications fonctionnant à plus de 600 watts.
Votre fournisseur de carbure de silicium de haute qualité
Depuis près de 30 ans, Lucky Sound met en relation fabricants et fournisseurs de matières premières de qualité. Si vous recherchez une solution simple et rapide pour vous approvisionner en carbure de silicium, l'équipe de Lucky Sound est là pour vous accompagner.
Carbure de silicium : son processus de fabrication
La méthode la plus simple de production de SiC consiste à faire fondre ensemble du sable siliceux et du charbon à très haute température, généralement jusqu'à 2 500 °C. Les types de SiC plus courants sont créés en dopant le SiC avec du fer et d'autres impuretés.
Les cristaux de carbure de silicium pur se forment par sublimation du carbure de silicium à 2 700 °C. Chauffés, ces cristaux se déposent sur du graphite selon un procédé communément appelé méthode Lely. Une alternative à la méthode Lely consiste à faire croître le carbure de silicium par dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Ce procédé est répandu dans l'industrie des semi-conducteurs. Il repose sur l'introduction d'un mélange spécifique de gaz sous vide, qui se combine avant d'être déposé sur un substrat.
Chacune des méthodes de fabrication du carbure de silicium mentionnées ci-dessus consomme d'énormes quantités d'énergie et nécessite un haut degré d'expertise de la part de l'équipe de production pour réussir.